INFICON射頻傳感器和薄膜沉積控制器
INFICON主要產(chǎn)品：INFICON射頻傳感器、INFICON真空計、INFICON薄膜沉積控制器。
INFICON射頻傳感器產(chǎn)品介紹：
INFICON射頻傳感技術(shù)能夠為半導(dǎo)體過程工具提供高度準(zhǔn)確、寬頻、頻率判別式射頻測量。通過此射頻數(shù)據(jù)，可以詳細(xì)了解過程開發(fā)和生產(chǎn)過程問題中的實際等離子狀態(tài)，大幅降低過程變異性。此款非接觸嵌入式電纜安裝的射頻傳感器是其先進(jìn)過程控制現(xiàn)場傳感器套件中的最新款傳感器，可以與FabGuard傳感器集成與分析系統(tǒng)結(jié)合使用，提供關(guān)鍵診斷信息，例如準(zhǔn)確的腔室和過程功率與阻抗測量、故障根本原因分析（例如匹配網(wǎng)絡(luò)問題）、用于腔室匹配的過程“指紋”識別以及PVD、CVD和蝕刻應(yīng)用的晶片計量建模。
INFICON射頻傳感器技術(shù)利用FabGuard打造了高精確的產(chǎn)品，可通過對基本電壓電流和諧波電壓電流進(jìn)行測量與分析（包括相角測量），預(yù)測晶片計量結(jié)果，因而工程師能夠控制每個加工晶片的實際晶片計量結(jié)果。現(xiàn)在，F(xiàn)abGuard獨一無二的強(qiáng)大算法性能與射頻傳感技術(shù)完美結(jié)合，可以基于實時測量以及易于理解的用戶界面所提供的相關(guān)性分析，顯著提高半導(dǎo)過程的可重復(fù)性、穩(wěn)定性和準(zhǔn)確性。
產(chǎn)品功能
CVD應(yīng)用
-晶片計量建模（薄膜應(yīng)力、薄膜厚度）
-對過程腔室提供的真正功率進(jìn)行有功功率控制
-FDC（例如等離子體不穩(wěn)定性、充電）
-腔室匹配（射頻指紋）
PVD應(yīng)用
-晶片計量建模（電阻率）
-FDC
-腔室匹配（射頻指紋）
蝕刻應(yīng)用
-晶片計量建模（蝕刻速率）
-對過程腔室提供的真正功率進(jìn)行有功功率控制
-FDC
-腔室匹配（射頻指紋）。
INFICON薄膜沉積控制器Cygnus2產(chǎn)品介紹：
Cygnus2薄膜沉積控制器在INFICON薄膜沉積控制器可靠成熟的性能基礎(chǔ)上，增添了更多獨特的功能，可幫助您實現(xiàn)OLED過程的最大價值。Cygnus2使用INFICONModeLock頻率測量系統(tǒng)，提供穩(wěn)定、高分辨率的速率和厚度測量，速率分辨率可達(dá)每1/10秒0.00433?/s，是行業(yè)中的佼佼者。Cygnus2具有其他石英晶體控制器無法比擬的性能、品質(zhì)和功能，賦予您的過程卓越的可重復(fù)性。
產(chǎn)品功能：
INFICONModeLock技術(shù)確保獲得最高、最穩(wěn)定的速率和厚度測量分辨率，即使在速率極低的情況下
AutoZ技術(shù)通過自動測定沉積材料的Z比值，可提高厚度測量的精度
一個Cygnus2即可同時、單獨或以任何組合方式控制最多6個來源，無需使用兩個或三個控制器
彩色TFTLCD顯示屏使用戶很容易看到過程的進(jìn)展?fàn)顩r
10Hz測量
100ms樣本速率下頻率范圍為+/-0.0035Hz
USB數(shù)據(jù)存儲功能可存儲屏幕截圖、配方存儲和數(shù)據(jù)記錄
多個源厚度合計功能
測量低密度、低速率材料的平均速率（使用穩(wěn)定源的低速率OLED摻雜材料沉積最多30秒）
速率顯示分辨率可達(dá)0.001?
4米XIU選件能夠在大型系統(tǒng)中使用較長的真空傳感器電纜
無沉積控制允許持續(xù)控制源，因為基片可以通過沉積室不斷循環(huán)
6個標(biāo)準(zhǔn)DAC輸出和另外6個可選輸出用于來源控制、速率或厚度監(jiān)控
可選以太網(wǎng)通信
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。
INFICON真空計產(chǎn)品特點：
測量范圍從5×10-10mbar到2.7×10-2mbar（3.75×10-10Torr到5×10-2Torr）
出色的可重復(fù)性，在10-8…10-2mbar工藝壓力范圍內(nèi)為5%
過壓檢測保護(hù)，防止燈絲燒毀
兩根長壽命氧化銥燈絲
發(fā)射電流選擇，降低控制的繁瑣
植入校準(zhǔn)數(shù)據(jù)的傳感器元件可確保規(guī)管的高精準(zhǔn)性，并且易于更換
符合RoHS。