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太陽(yáng)能光伏技術(shù)知識(shí)詳解(二)

發(fā)布時(shí)間:2011年12月30日 來(lái)源:OFweek太陽(yáng)能光伏網(wǎng)

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  在第一期中,我們?yōu)榇蠹腋爬ń榻B了太陽(yáng)能發(fā)電原理、太陽(yáng)能電池、太陽(yáng)能電池組件、光伏控制器、光伏逆變器等內(nèi)容。接下來(lái)將開(kāi)始深入地講解。本期我們將著重說(shuō)明太陽(yáng)能電池的制造工藝詳細(xì)流程、單晶硅和多晶硅的區(qū)別、單晶硅和多晶硅電池片的區(qū)別以及逆變器的概念,將知識(shí)串連起來(lái)以便讀者學(xué)習(xí)和了解。


  晶體硅太陽(yáng)能電池的制造工藝流程


  晶體硅太陽(yáng)能電池的制造工藝流程說(shuō)明如下:


  (1)切片:采用多線切割,將硅棒切割成正方形的硅片。


  (2)清洗:用常規(guī)的硅片清洗方法清洗,然后用酸(或堿)溶液將硅片表面切割損傷層除去30-50um。


  (3)制備絨面:用堿溶液對(duì)硅片進(jìn)行各向異性腐蝕在硅片表面制備絨面。


  (4)磷擴(kuò)散:采用涂布源(或液態(tài)源,或固態(tài)氮化磷片狀源)進(jìn)行擴(kuò)散,制成PN+結(jié),結(jié)深一般為0.3-0.5um。


  (5)周邊刻蝕:擴(kuò)散時(shí)在硅片周邊表面形成的擴(kuò)散層,會(huì)使電池上下電極短路,用掩蔽濕法腐蝕或等離子干法腐蝕去除周邊擴(kuò)散層。


  (6)去除背面PN+結(jié)。常用濕法腐蝕或磨片法除去背面PN+結(jié)。


  (7)制作上下電極:用真空蒸鍍、化學(xué)鍍鎳或鋁漿印刷燒結(jié)等工藝。先制作下電極,然后制作上電極。鋁漿印刷是大量采用的工藝方法。


  (8)制作減反射膜:為了減少入反射損失,要在硅片表面上復(fù)蓋一層減反射膜。制作減反射膜的材料有MgF2 ,SiO2 ,Al2O3 ,SiO ,Si3N4 ,TiO2 ,Ta2O5等。工藝方法可用真空鍍膜法、離子鍍膜法,濺射法、印刷法、PECVD法或噴涂法等。


  (9)燒結(jié):將電池芯片燒結(jié)于鎳或銅的底板上。


  (10)測(cè)試分檔:按規(guī)定參數(shù)規(guī)范,測(cè)試分類。


  由此可見(jiàn),太陽(yáng)能電池芯片的制造采用的工藝方法與半導(dǎo)體器件基本相同,生產(chǎn)的工藝設(shè)備也基本相同,但工藝加工精度遠(yuǎn)低于積體電路芯片的制造要求,這為太陽(yáng)能電池的規(guī)模生產(chǎn)提供了有利條件。

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