我國光學(xué)光電子行業(yè)協(xié)會(huì)光電子器件分會(huì)行業(yè)協(xié)會(huì)根據(jù)LED 產(chǎn)品發(fā)展的需要，于2003 年發(fā)布了“發(fā)光二極管測(cè)試方法（試行）”，該測(cè)試方法增加了LED 色度參數(shù)的規(guī)定。但LED 要往照明業(yè)拓展，建立LED照明產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)是產(chǎn)業(yè)規(guī)范化的重要手段。

5、篩選技術(shù)與可靠性保證

        由于燈具外觀的限制，照明用LED 的裝配空間密封且受到局限，密封且有限的空間不利于LED 散熱，這意味著照明LED 的使用環(huán)境要劣于傳統(tǒng)顯示、指示用LED 產(chǎn)品。另外，照明LED 處于大電流驅(qū)動(dòng)下工作，這就對(duì)其提出更高的可靠性要求。在產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)中，針對(duì)不同的產(chǎn)品用途，制定適當(dāng)?shù)臒崂匣囟妊h(huán)沖擊、負(fù)載老化工藝篩選試驗(yàn)，剔除早期失效品，保證產(chǎn)品的可靠性很有必要。

6、靜電防護(hù)技術(shù)

        藍(lán)寶石襯底的藍(lán)色芯片其正負(fù)電極均位于芯片上面，間距很小；對(duì)于InGaN/AlGaN/GaN 雙異質(zhì)結(jié)，InGaN 活化簿層僅幾十nm，對(duì)靜電的承受能力很小，極易被靜電擊穿，使器件失效。因此，在產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)中，靜電的防范是否得當(dāng)，直接影響到產(chǎn)品的成品率、可靠性和經(jīng)濟(jì)效益。靜電的防范技術(shù)有如下幾種：

①生產(chǎn)、使用場(chǎng)所從人體、臺(tái)、地、空間及產(chǎn)品傳輸、堆放等實(shí)施防范，手段有防靜電服裝、手套、手環(huán)、鞋、墊、盒、離子風(fēng)扇、檢測(cè)儀器等。

②芯片上設(shè)計(jì)靜電保護(hù)線路。

③LED 上裝配保護(hù)器件。

廈門華聯(lián)電子有限公司長期從事半導(dǎo)體LED 及其它光電子器件的研制、生產(chǎn)。目前在功率LED 方面，
已具備食人魚、PLCC 功率型LED 產(chǎn)品的量產(chǎn)能力。目前已有三基色芯片的PLCC 功率型LED 用于室外裝飾應(yīng)用產(chǎn)品出口歐美市場(chǎng)。在多芯片混色白光技術(shù)應(yīng)用方面，已有彩色顯示模塊出口。W 級(jí)功率型LED已經(jīng)研制出R、Y、G、B、W 色，兩種外形樣品。IF=350mA 下的光效分別約為14lm/W、11lm/W、12lm/W、4lm/W 和11.5lm/W，目前可提供樣品試用。

四、結(jié)束語

        我國LED 封裝產(chǎn)品主要是普通小功率LED，同時(shí)還具有一定的功率型LED 封裝技術(shù)和水品。但由于多種原因，我國大功率LED 封裝技術(shù)水平總體來說與國際水平還有相當(dāng)?shù)牟罹唷榱思涌彀l(fā)展LED 封裝技術(shù)水平，我們建議：

1．國家要重點(diǎn)支持LED 前工序外延、芯片有實(shí)力的重點(diǎn)研究單位（大學(xué)）和企業(yè)，集中優(yōu)勢(shì)，重點(diǎn)突破前工序的關(guān)鍵技術(shù)難點(diǎn)，盡快開發(fā)并生產(chǎn)有自主產(chǎn)權(quán)的1W、3W、5W 和10W 等大功率LED 芯片，只有這樣，才能確保我國大功率LED 的順利發(fā)展。

2．國家要重點(diǎn)扶植幾家有實(shí)力的大功率LED 封裝企業(yè)，研發(fā)有自主產(chǎn)權(quán)的LED 封裝產(chǎn)品，并要達(dá)到規(guī)模化的生產(chǎn)程度，參與國際市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)。

3．要重視熒光粉、封裝環(huán)氧等基礎(chǔ)材料的研究開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化工作。

4．根據(jù)市場(chǎng)要求，開發(fā)適應(yīng)市場(chǎng)的各種功率型LED 產(chǎn)品，首先瞄準(zhǔn)特種照明應(yīng)用的市場(chǎng)，并逐步向普通照明燈源市場(chǎng)邁進(jìn)。

參考文獻(xiàn)：
［1］Compound Semiconductor 2003.9(10)
［2］Elektronik 2003.3
［3］Compound Semiconductor 2002.8(8)
［4］Compound Semiconductor 2001.5
［5］Compound Semiconductor 2003.9(7)
［6］Compound Semiconductor 2003.9(4)