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n型晶體硅/p型非晶硅異質(zhì)結(jié)太陽電池的研制

發(fā)布時間:2012年3月21日 來源:

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  3.2背電場對HIT太陽電池性能的影響


  背場是用來提高太陽電池效率的有效手段,背場即在電池的背面接觸區(qū)引入同型重?fù)诫s區(qū),指的是可對光生少子產(chǎn)生勢壘效果的區(qū)域,從而減少光生少子在背表面的復(fù)合。


  圖6所示為有、無背場的HIT太陽電池的QE響應(yīng)和IV特性曲線。從圖中可以看出背場能有效增加電池的長波段響應(yīng),加入背場的電池在背面有很低復(fù)合速率,將能增強低光子能量處的光譜響應(yīng),因此短路電流密度將增加。由于短路電流增加,背面接觸的二極管復(fù)合電流減少,從而開路電壓增加,能有效提高電池的轉(zhuǎn)換效率。

 

 

有、無背場的HIT太陽電池的QE響應(yīng)和IV特性曲線


  3.3優(yōu)化后的HIT太陽電池


  在上述研究的基礎(chǔ)上,對單面HIT太陽電池各沉積參數(shù)進行優(yōu)化,得到了開壓為596mV、短路電流密度為41.605mA/cm2、填充因子為0.676、效率為16.75%的HIT電池,其卜V特性曲線如圖7所示,測試在模擬光源AMl.5,25℃下進行。

 

 

優(yōu)化后的HIT太陽電池


  4小結(jié)


  本文通過研究不同硅表面鈍化方法,分析測試HIT太陽電池制備過程中硅片表面的一些鈍化技術(shù)對少數(shù)載流子壽命以及對電池性能的影響,發(fā)現(xiàn)適當(dāng)?shù)腍F溶液預(yù)處理、20s的襯底H處理和插入約3nm的本征非晶硅層能有效提高硅片的少子壽命,通過飽和硅片表面的懸掛鍵,可以降低少數(shù)載流子在表面的復(fù)合,從而得到較好的表面鈍化效果。研究了在硅襯底背面制作背場后電池的光照特性,發(fā)現(xiàn)在硅片背面引入重?fù)诫s背場提高了電池的長波段光譜響應(yīng)和開路電壓。對電池的各制備工藝進行綜合優(yōu)化,研制出了效率為16.75%(AMl.5,25℃)的HIT太陽電池。(原作者: 柳琴, 葉曉軍等)

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