在2010年10月19～21日于東京舉行的研討會“Nature Photonics Technology Conference”上京瓷發表了有關演講，公布了有關薄膜硅太陽能電池的研發情況。面積為1cm2的電池單元，穩定前的轉換效率已達到13.8％。

　　實現13.8％轉換效率的是疊加非晶硅層和微晶硅層的串聯構造的薄膜硅太陽能電池。京瓷在其中微晶硅層的形成方面，采用了稱為Cat-PECVD的方法。

　　普通的PECVD方法是將SiH4和H2同時放入反應室中。而京瓷則是將加熱到1800℃的鎢（W）絲和鉭（Ta）絲等作為觸媒（Catalyzer）分解H2，然后再導入反應室中。這樣，就可形成高品質的微晶硅。

　　采用Cat-PECVD方法時的微晶硅層的成膜速度為1.6nm/秒。在普通的PECVD方法中，該成膜速度下形成的薄膜硅太陽能電池的轉換效率在11％上下。想要在普通的PECVD方法下使轉換效率提高到13.8％，就需要將成膜速度降至0.9nm/秒左右。今后，京瓷將以解決大面積化等課題為目標推進研發。