在第一期中，我們為大家概括介紹了太陽能發電原理、太陽能電池、太陽能電池組件、光伏控制器、光伏逆變器等內容。接下來將開始深入地講解。本期我們將著重說明太陽能電池的制造工藝詳細流程、單晶硅和多晶硅的區別、單晶硅和多晶硅電池片的區別以及逆變器的概念，將知識串連起來以便讀者學習和了解。

　　晶體硅太陽能電池的制造工藝流程

　　晶體硅太陽能電池的制造工藝流程說明如下：

　　（1）切片：采用多線切割，將硅棒切割成正方形的硅片。

　　（2）清洗：用常規的硅片清洗方法清洗，然后用酸（或堿）溶液將硅片表面切割損傷層除去30－50um。

　　（3）制備絨面：用堿溶液對硅片進行各向異性腐蝕在硅片表面制備絨面。

　　（4）磷擴散：采用涂布源（或液態源，或固態氮化磷片狀源）進行擴散，制成PN＋結，結深一般為0.3－0.5um。

　　（5）周邊刻蝕：擴散時在硅片周邊表面形成的擴散層，會使電池上下電極短路，用掩蔽濕法腐蝕或等離子干法腐蝕去除周邊擴散層。

　　（6）去除背面PN＋結。常用濕法腐蝕或磨片法除去背面PN＋結。

　　（7）制作上下電極：用真空蒸鍍、化學鍍鎳或鋁漿印刷燒結等工藝。先制作下電極，然后制作上電極。鋁漿印刷是大量采用的工藝方法。

　　（8）制作減反射膜：為了減少入反射損失，要在硅片表面上復蓋一層減反射膜。制作減反射膜的材料有MgF2 ，SiO2 ，Al2O3 ，SiO ，Si3N4 ，TiO2 ，Ta2O5等。工藝方法可用真空鍍膜法、離子鍍膜法，濺射法、印刷法、PECVD法或噴涂法等。

　　（9）燒結：將電池芯片燒結于鎳或銅的底板上。

　　（10）測試分檔：按規定參數規范，測試分類。

　　由此可見，太陽能電池芯片的制造采用的工藝方法與半導體器件基本相同，生產的工藝設備也基本相同，但工藝加工精度遠低于積體電路芯片的制造要求，這為太陽能電池的規模生產提供了有利條件。