二極管在低頻工作時，具有很好的單向?qū)щ娮饔谩．敼ぷ黝l率很高時， 由于結(jié)的電容效應(yīng)即二極管的電容效應(yīng)，往往使單向?qū)щ娞匦宰兊煤懿睿?這種電容效應(yīng)可以歸結(jié)為兩種等效電容。
   我們知道， 在P型和N型半導體的交界面結(jié)附近， 由于載流子空穴和電子的相互擴散， 將形成勢壘區(qū)， 積累一定數(shù)量的空間電荷。這些空間電荷是一些不能移動的正負離子，在勢壘區(qū)由于缺少導電的載流子，導電率很低，相當于介質(zhì)。而勢壘區(qū)也稱空間電荷區(qū)或耗盡層兩側(cè)的P區(qū)和N區(qū)的導電率相對來說比較高， 相當于金屬極板。當外加電壓改變時， 勢壘區(qū)的電荷量將隨之改變， 這種現(xiàn)象和電容的作用類似。