存儲器芯片是半導(dǎo)體存儲產(chǎn)品的核心, 是電子系統(tǒng)中負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)存儲的核心硬件單元, 存儲芯片在出廠時需要測試芯片在快速變溫過程中的穩(wěn)定性, 上海伯東美國 inTEST Temtronic 熱流儀提供 -100°C 至 +300°C 快速溫度沖擊范圍, 滿足 Flash 及 DRAM 存儲器的研發(fā)設(shè)計需求, 為存儲芯片提供快速可靠的測試環(huán)境.

上海伯東存儲器芯片高低溫沖擊測試案例
客戶: 某知名存儲芯片設(shè)計公司, 主要產(chǎn)品 Flash 及 DRAM 存儲器
測試設(shè)備: inTEST ATS-710-M 搭配愛德萬 Advantest 內(nèi)存 IC 測試系統(tǒng)
測試目的: 研發(fā)中存儲芯片的運(yùn)作特性, 同時可用于失效芯片在不同溫度下的快速故障診斷.
存儲器芯片高低溫測試方法: inTEST 熱流儀溫度區(qū)間設(shè)置為 125℃ 至 -55℃, 快速實(shí)現(xiàn)極端溫度下閃存的運(yùn)作特性, 如電壓, 電流等. 閃存多采用 inTEST  DUT mode 即 Device under test 模式來進(jìn)行高低溫循環(huán)測式, 將閃存與 inTEST ATS-710-M 使用 T type Thermocouple 相互連接, 如此即可精確掌控受測物達(dá)到機(jī)臺所設(shè)定之溫度. 閃存高低溫測試方法同樣適合內(nèi)嵌式記憶體 eMMC 溫度測試.

inTEST Temtronic ATS-710 熱流儀技術(shù)參數(shù)

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