立方氮化硼（cBN）由于具有高超的硬度/ 好的化學惰性/ 較好的熱穩定性/ 高的熱導率/ 在寬波長范圍內(約從 200nm 開始) 有很好的透光性/ 可摻雜為 n 型和 p 型半導體等特點, 在切削工具/ 耐磨材料/ 光學元件表面涂層/ 高溫/ 高頻/ 大功率/ 抗輻射電子器件/ 電路熱沉材料和絕緣涂覆層等方面具有很大的應用潛力.
在對立方氮化硼 (cBN) 薄膜研究中, 西北某金屬研究所采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 輔助濺射沉積立方氮化硼 (cBN) 薄膜.
伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 技術參數:
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型號
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RFICP140
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Discharge
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RFICP 射頻
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離子束流
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>600 mA
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離子動能
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100-1200 V
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柵極直徑
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14 cm Φ
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離子束
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聚焦, 平行, 散射
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流量
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5-30 sccm
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通氣
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Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
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典型壓力
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< 0.5m Torr
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長度
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24.6 cm
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直徑
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24.6 cm
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中和器
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LFN 2000
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該實驗中, 采用的是射頻濺射沉積的方法, 沉積基片為硅片, 熱壓的 hBN 作為靶材, 濺射氣體為 Ar 和N2 的混合氣體.
磁控濺射是物理氣相沉積技術中一種手段比較豐富的方法, 可以通過控制調節鍍膜參數, 得到更加致密, 均勻, 結合力出色的膜層, 而且磁控濺射屬于干法鍍膜, 不存在電鍍化學鍍中的鍍液腐蝕基體和廢液污染問題, 從環境保護的角度來看, 磁控濺射較電鍍化學鍍更加綠色環保.
實驗結果:
采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 輔助濺射沉積立方氮化硼 (cBN) 薄膜時, 具有沉積的膜層顆粒尺寸小/ 薄膜中立方含量高/ 工藝可控性好等特點.
伯東是德國 Pfeiffer 真空泵, 檢漏儀, 質譜儀, 真空計, 美國 KRI 考夫曼離子源, 美國HVA 真空閥門, 美國 inTEST 高低溫沖擊測試機, 美國 Ambrell 感應加熱設備和日本 NS 離子蝕刻機等進口知名品牌的指定代理商.
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上海伯東: 羅先生
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