中國電科四十五所所長郭永興

    設(shè)備研發(fā)要與工藝緊密結(jié)合

    “十二五”我國應(yīng)重點(diǎn)發(fā)展具有電子信息技術(shù)制高點(diǎn)的極大規(guī)模集成電路制造關(guān)鍵設(shè)備(包括芯片制造設(shè)備和封裝設(shè)備)，積極發(fā)展太陽能光伏裝備、LED制造設(shè)備和LCD制造設(shè)備，有選擇地發(fā)展與物聯(lián)網(wǎng)緊密相關(guān)的MEMS制造設(shè)備和高鐵需要的IGBT制造設(shè)備。

    在極大規(guī)模集成電路制造關(guān)鍵設(shè)備方面，我認(rèn)為還應(yīng)重點(diǎn)發(fā)展能夠帶動其他產(chǎn)業(yè)技術(shù)升級的關(guān)鍵設(shè)備以及先進(jìn)封裝的關(guān)鍵設(shè)備；在太陽能光伏設(shè)備方面，應(yīng)重點(diǎn)發(fā)展現(xiàn)在還制約整線配套能力的全自動絲網(wǎng)印刷系統(tǒng)、平板式PECVD、大尺寸多線切割機(jī)和多晶全自動制絨設(shè)備等；在LED制造設(shè)備方面，應(yīng)重點(diǎn)發(fā)展材料加工設(shè)備、MOCVD以及關(guān)鍵封裝設(shè)備等；在LCD制造設(shè)備方面，應(yīng)重點(diǎn)發(fā)展光刻機(jī)和ODF灌注機(jī)等。

    要發(fā)展我國的半導(dǎo)體設(shè)備，必須從技術(shù)上取得突破，打破長期以來的跟隨模式，走跨越式發(fā)展的道路。我認(rèn)為技術(shù)突破口就在于：一是設(shè)備研發(fā)要與工藝開發(fā)緊密結(jié)合，建立利益相關(guān)的產(chǎn)學(xué)研聯(lián)盟；二是開放合作，實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)鏈的良性互動。

    中國電子專用設(shè)備工業(yè)協(xié)會副理事長金存忠

    擴(kuò)大內(nèi)需是有效措施

    “十二五”時期，我國應(yīng)該重點(diǎn)發(fā)展以下設(shè)備：

    1.集成電路生產(chǎn)設(shè)備。8英寸90nm集成電路可以交鑰匙的生產(chǎn)線設(shè)備；12英寸65nm集成電路關(guān)鍵設(shè)備的產(chǎn)業(yè)化；8英寸半導(dǎo)體級單晶生長、切割、磨片、拋光設(shè)備產(chǎn)業(yè)化，12英寸半導(dǎo)體級單晶生長設(shè)備。

    2.太陽能電池芯片生產(chǎn)設(shè)備。8～12英寸太陽能級多晶硅、單晶硅的生長、切割、加工設(shè)備產(chǎn)業(yè)化；全自動晶硅太陽能電池片生產(chǎn)線設(shè)備；銅銦硒鎵薄膜太陽能生產(chǎn)設(shè)備。

    3.高亮度LED生產(chǎn)設(shè)備。芯片襯底單晶生長、切割、磨片、拋光設(shè)備；芯片生產(chǎn)線設(shè)備和后封裝設(shè)備。

    4.新型元件生產(chǎn)設(shè)備。高性能稀土永磁元件生產(chǎn)設(shè)備；高儲能鋰離子電池生產(chǎn)設(shè)備；金屬化超薄膜電力電容器生產(chǎn)設(shè)備；超小型片式元件生產(chǎn)設(shè)備；高密度印制電路板生產(chǎn)設(shè)備。

    5.表面貼裝設(shè)備。高精密鋼網(wǎng)自動印刷機(jī)；高速、多功能自動貼片機(jī)；無鉛再流焊機(jī)；高精度光學(xué)檢測設(shè)備。

    “十二五”期間我國電子專用設(shè)備的市場主要在國內(nèi)，所以在當(dāng)前經(jīng)濟(jì)形勢下，擴(kuò)大內(nèi)需是拉動我國電子專用設(shè)備產(chǎn)業(yè)最有效的措施。

    加強(qiáng)研發(fā)投入，加快高端人才培養(yǎng)和引進(jìn)，進(jìn)一步完善以企業(yè)為主體的創(chuàng)新體系，大力提高自主創(chuàng)新能力。設(shè)備制造企業(yè)要加快建立產(chǎn)品生產(chǎn)試驗線和實驗室的建設(shè)，實現(xiàn)設(shè)備制造企業(yè)在提供設(shè)備的同時可以提供產(chǎn)品的先進(jìn)制造工藝。