9月22日，由揚州大學物理學院承擔的省科技攻關項目大功率高亮度LED芯片取得進展，首批試制樣品已上線接受1000小時的性能測試。這款由我國自主研發(fā)的新光源芯片，將用于替代國外同類產品。 　

    據(jù)了解，LED是目前世界各國加緊開發(fā)的節(jié)能光源產品，用于替代傳統(tǒng)的電力光源，芯片則是LED的“大腦”。但目前國產LED芯片在壽命、亮度、性價比等方面均弱于進口芯片，從而造成最終產品成本高，難以在一般消費者中普及，且高端產品的芯片需依賴進口。 　　

    作為光電強省，我省去年開始展開高性能芯片的研究。揚大物理學院光電研究中心由10名科研人員組成研究團隊，與揚州華夏光電合作，對國產芯片的結構進行重新設計，著力解決發(fā)熱量大、衰減快等穩(wěn)定性問題，以提高其使用壽命。課題負責人曾祥華教授表示，目前首批新型芯片樣品已經(jīng)試制成功，并已經(jīng)獲得三項國家專利，經(jīng)過1000小時連續(xù)帶電測試后，研究人員還將對細節(jié)進行改進，新芯片的穩(wěn)定使用壽命約能提高到5萬小時以上。據(jù)悉，新芯片因由我國自主研發(fā)，這將大大縮減LED制造成本，最終可用于替代進口芯片。