6月10日，在廣州舉行的2013年LED外延芯片技術(shù)及設(shè)備材料最新趨勢(shì)專(zhuān)場(chǎng)中，晶能光電硅襯底LED研發(fā)副總裁孫錢(qián)博士向與會(huì)者做了題為“硅襯底氮化鎵大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”的報(bào)告，與同行一道分享了硅襯底大功率LED研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化和大尺寸硅襯底LED技術(shù)的最新進(jìn)展。

孫錢(qián)博士介紹，Haitz定律追求的是高性?xún)r(jià)比LED。市場(chǎng)需要的是一條追隨和突破Haitz定律的技術(shù)路線，它要有更大的襯底晶圓、更低的芯片工藝成本、更高的光效、更高的工作電流密度以及單位芯片面積更高的出光功率。硅襯底LED技術(shù)或?qū)⑹亲罾硐氲倪x擇。

繼2012年6月12日發(fā)布硅襯底大功率LED芯片量產(chǎn)以來(lái)，在孫錢(qián)博士帶領(lǐng)的團(tuán)隊(duì)的的努力下，晶能光電取得了大步的“芯”跳躍，硅襯底大功率LED外延生產(chǎn)水平可達(dá)到同爐外延片波長(zhǎng)總體在7-8nm，爐與爐之間波長(zhǎng)重復(fù)性穩(wěn)定在±2nm，同時(shí)片內(nèi)波長(zhǎng)STD約1.3nm且翹曲度小。外延水平的提升的同時(shí)，硅襯底大功率LED芯片性能得到了飛速提升。目前，45mil芯片量產(chǎn)水平裸芯光強(qiáng)500mW，平均電壓2.9-3V，反向漏電流小于0.1uA；封裝成冷白光效可達(dá)到140lm/W，350mA，性能與國(guó)際一流大廠大功率LED芯片水平相當(dāng)。55mil芯片光效更可達(dá)到150lm/W，350mA，比去年提升幅度近20%。同時(shí)，硅襯底大功率LED芯片在900mA電流，55℃下老化1800小時(shí)無(wú)光衰，顯示了良好的可靠性。

孫錢(qián)博士同時(shí)介紹了6寸硅襯底大功率LED研發(fā)的最新進(jìn)展。據(jù)介紹，晶能光電已開(kāi)發(fā)出的6寸硅襯底氮化鎵基LED的外延及芯片工藝技術(shù)制造的45mil芯片光效已達(dá)到125lm/W，并且將于明年實(shí)現(xiàn)6寸硅襯底45milLED芯片的批量生產(chǎn)，光效達(dá)140lm/W以上。

晶能光電是全球硅襯底LED技術(shù)和產(chǎn)業(yè)化的引領(lǐng)者。硅襯底大功率LED芯片投放市場(chǎng)以來(lái)，其芯片性能進(jìn)步神速，市場(chǎng)反響強(qiáng)烈，優(yōu)良的可靠性和良好的性?xún)r(jià)比得到越來(lái)越多客戶(hù)的認(rèn)可。在本次光亞展中，運(yùn)用硅襯底大功率LED芯片的硅襯底模組首次亮相。硅襯底模組以3.5元/W、質(zhì)量五年的高性?xún)r(jià)比受到了同行的廣泛關(guān)注。