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市場研究:薄膜太陽能能否逃過晶體硅的猛攻?

發(fā)布時間:2010年11月19日 來源:PV-Tech

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  市場研究機構(gòu)Lux Research近日公布了一項最新研究報告。在這份名為《組件成本結(jié)構(gòu)分析:薄膜能否逃過晶體硅的猛攻?》(“Module Cost Structure Breakdown: Can Thin-Film Survive the Crystalline Silicon Onslaught?”)的報告中,Lux比較了多晶硅(mc-Si)、薄膜硅(TF-Si)、碲化鎘(CdTe)和銅銦鎵硒(CIGS)太陽能電池的每瓦發(fā)電成本,進而對何種技術(shù)在組件層次擁有長期的價格優(yōu)勢進行了預測。


  在報告中,Lux稱價格壓力促使著太陽能產(chǎn)品制造商尋求降低成本提高性能的方法,以期保留較大的利潤空間。報告還指出,隨著晶體硅技術(shù)的進步和多晶硅原材料價格的不斷下降,TF-Si、CdTe和CIGS電池的制造商將被迫壓縮利潤或退出市場。


  “在太陽能組件領域,晶體硅技術(shù)目前仍處于優(yōu)勢地位并作為行業(yè)成本價格比的基準。碲化鎘效率較低,但價格最具競爭力。我們預計這兩項技術(shù)將繼續(xù)保持較高的盈利水平,”報告的第一作者、Lux Research的資深研究員泰德.沙利文(Ted Sullivan,如圖)表示,“薄膜硅技術(shù)的盈利能力有很大的不確定性,而隨著研究員不斷提高工藝的穩(wěn)定性,CIGS技術(shù)的盈利能力將在2013年前超越晶體硅技術(shù)。”


  為了幫助開發(fā)人員在2015年前控制成本的主要組成(投資、材料、設備和人工成本),Lux還為四種技術(shù)建立了銷售成本(cost-of-goods-sold model,簡稱COGS)模型。該模型預計,隨著銷售成本走低,晶體硅還將是占據(jù)市場主流技術(shù)。在多晶硅保持每千克70美元的假設下,Lux預計到2015年縱向一體化企業(yè)將把成本從2009年的每瓦1.45美元降到每瓦0.93美元,其中效率的提高是促使成本降低的主要因素,預計效率將從2009年的14%提高到2015年的16.1%。


  Lux在其模型中假設歐瑞康的新款ThinFab生產(chǎn)線將使薄膜硅電池的效率從9%提高到11%。輸出功率的提高也壓低了每瓦組件成本,預計到2015年薄膜硅的成本將從2009年的每瓦1.32美元減低到每瓦0.8美元。


  至于哪種太陽能技術(shù)盈利空間最大,Lux押寶福思第一太陽能(First Solar)公司所引領的CdTe技術(shù)。Lux指出CdTe的成本結(jié)構(gòu)比多晶硅要低,隨著成本的進一步降低,到2015年該技術(shù)的成本將從2009年的每瓦0.8美元降低到每瓦0.54美元。


  最后,Lux的模型還預測特定CIGS技術(shù)的成本將大幅下降。其中使用玻璃基板的濺射CIGS電池在效率從10%提高到14.2%的情況下,成本可以從每瓦1.68美元將至每瓦0.76美元。此外,Lux還注意到到一些技術(shù)領先的公司通過提高產(chǎn)能使毛利率達到了30%。


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